ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Учебник по математике
Контрольные
Карта сайта
look at these guys

РЕКОМБИНАЦИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Прямая межзонная рекомбинация

При протекании через диод прямого тока происходит инжекция неосновных носителей заряда (электронов) в базовую р-область полупроводника. Вблизи границы p–n-перехода создается избыточная (неравновесная) концентрация электронов и дырок. Происходят процессы их рекомбинации, сводящиеся к переходу электронов из зоны проводимости в валентную зону на имеющиеся там свободные уровни. Возможные пути рекомбинации показаны на энергетической диаграмме рис. 4. Здесь изображены уровни энергии дна зоны проводимости Wc и верха валентной зоны Wv, уровень энергии донорной примеси Wd и уровень энергии акцепторной примеси Wa. Переход электрона с нижнего уровня зоны проводимости на верхний уровень валентной зоны называется межзонной рекомбинацией (рис. 4,а). Разность энергии ΔW = Wc − Wv выделяется в виде кванта электромагнитного излучения – фотона hνcv = ΔW, где h = 6.626∙10–34 Дж∙с –постоянная Планка (излучательная рекомбинация), либо передается решетке в виде кванта тепловых колебаний – фонона (безизлучательная рекомбинация). Однако процесс прямой межзонной излучательной рекомбинации маловероятен. Для его осуществления электрон и дырка должны оказаться одновременно в одном и том же месте кристалла. Кроме того, должен выполняться закон сохранения импульса, т.е. излучательная рекомбинация может произойти, если и электрон, и дырка имеют одинаковые, но противоположно направленные импульсы.

 

 

 

Рекомбинация с участием ловушек

Переходы электронов из зоны проводимости в валентную зону могут происходить через энергетические уровни, расположенные внутри запрещенной зоны (рис. 4,б,в). Это могут быть донорные или акцепторные уровни, достаточно удаленные от краев запрещенной зоны (Wc − Wd >> kT, Wa − Wv >> kT, где k = 0.862·10−4 эВ/К постоянная Больцмана, при Т = 293 К, kT ≈ 25 мэВ).

Атомы акцепторов и ионы доноров, способные захватывать, удерживать и отдавать электроны, называют центрами захвата или рекомбинационными ловушками.

Процесс рекомбинации через ловушки происходит в два этапа:

− на первом этапе электрон из зоны проводимости захватывается незанятым уровнем донорной примеси, а на втором происходит переход электрона с донорного уровня на свободный уровень в валентной зоне (нейтрализация дырки) с излучением фотона hνdv = Wd − Wv < ΔW или образованием фонона (рис. 4, б);

−на первом этапе происходит переход электрона из зоны проводимости на незаполненный уровень акцепторной примеси с излучением фотона hνса = Wс − Wа < ΔW или образованием фонона, а на втором – переход захваченного электрона на свободный уровень в валентной зоне (нейтрализация дырки) (рис. 4, в).

Вероятность захвата и длительность удержания зависят от глубины залегания уровней ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть также любые дефекты в кристаллах: примесные атомы или ионы, незаполненные узлы в решетке, дислокации и другие несовершенства объема или поверхности.

Двухступенчатый процесс релаксации более вероятен, т.к. он не требует одновременного присутствия в данной точке электрона и дырки. Ловушка воспринимает количество движения, необходимое для соблюдения закона сохранения импульса и часть энергии (Wc − Wd, Wa − Wv), освобождаемой в процессе рекомбинации.

Рассмотренные процессы перехода электронов из зоны в зону могут происходить и в обратном направлении (генерация электрон – дырочных пар или внутренний фотоэффект) с поглощением фотонов той же или большей энергии, что и излучаемых при рекомбинации.

Прямые и непрямые межзонные переходы

В кристалле полупроводника электроны движутся в поле периодического электрического потенциала кристаллической решетки. Допустим, в некотором направлении х атомы, а следовательно, и периодический потенциал повторяются с частотой, соответствующей периоду решетки а. Электрон, движущийся в направлении х, может иметь различные значения волнового вектора kx и импульса рх = ħkx, за исключением

kx = ±(π/a)n, (1)

где n = 1, 2, 3 …, и соответственно, импульса рх =±(ħπ/a)n, при которых длина волны де Бройля λ = 2π/k оказывается кратной периоду решетки nλ = 2a. Это значит, что величины энергии, соответствующие значениям kx = ±(π/a)n являются запрещенными. Зона проводимости разделяется на ряд зон (зон Бриллюэна) разрешенных значений энергии.

В обычных условиях зона проводимости является частично заполненной зоной, в которой электроны занимают уровни, расположенные вблизи дна зоны. Эти уровни будут соответствовать самым нижним уровням первой зоны Брилллюэна (|kx| << ±π/a). В этой области, при малых значениях импульса электрона, энергия электрона описывается зависимостью, аналогичной зависимости W(p) свободного электрона:

. (2)

Кривая зависимости энергии электрона от волнового вектора W(k) показана на рис. 5. Аналогично может быть построена кривая зависимости энергии электрона от волнового вектора в валентной зоне. Как и в предыдущем случае, интерес представляют самые нижние уровни первой зоны Бриллюэна, т.е. уровни вблизи верха валентной зоны. Именно здесь находятся свободные уровни, которые интерпретируются как дырки (рис. 5).


Из рис. 5 можно видеть, что запрещенная зона полупроводника представляет собой зазор между экстремумами двух параболических кривых (2) первых зон Бриллюэна.

Мы рассмотрели одномерную задачу. В реальном трехмерном кристалле электрон может двигаться в произвольном направлении, при этом картина зон Бриллюэна получается более сложной. Картина усложняется и за счет того, что в разных кристаллах зоны проводимости и валентная образуются расщеплением различных уровней оболочек атомов. Сложная зависимость энергии от импульса приводит к тому, что положение экстремума (минимума или максимума) функции W(k) может быть сдвинуто относительно нулевого значения k. Кроме того, оказывается возможным наличие нескольких экстремумов  в зоне Бриллюэна, причем минимум, смещенный относительно k = 0, может быть более глубоким, т.е. соответствует меньшему значению энергии по сравнению с минимумом, находящимся в точке k = 0 (рис. 6).


Различают прямые и непрямые переходы электронов из зоны в зону. Прямые переходы (прямая межзонная рекомбинация) совершаются практически без изменения импульса электрона и могут сопровождаться выделением фотона (рис. 5). Прямые переходы возможны в прямозонных полупроводниках, когда экстремумы расположены один над другим ( в точке р = 0). Строго говоря, прямой переход сопровождается отдачей импульса фотона р = hν/c. Однако этот импульс настолько мал, что считают, что переход электрона из зоны в зону происходит без изменения импульса.

(Прямой переход электрона из зоны в зону происходит без изменения импульса, т.е. без изменения вектора скорости движения. Следовательно, при прямом переходе изменяется лишь потенциальная энергия электрона. Кинетическая энергия электрона (2) остается постоянной).

В непрямозонных полупроводниках (рис. 6) происходит переход с изменением импульса электрона в результате взаимодействия электрона с решеткой. Непрямой переход всегда заканчивается выделением энергии в виде фононов (элементарных квантов тепловых колебаний кристаллической решетки). Импульс фонона определяется относительным положением минимумов первых зон Бриллюэна в зоне проводимости и в валентной зоне. Ракомбинация без излучения фотона называется безизлучательной рекомбинацией. В непрямозонных полупроводниках возможны излучательные переходы с предварительным захватом электрона рекомбинационной ловушкой. Рекомбинационные ловушки являются своеобразным посредником, получающим от электрона и передающим решетке импульс фонона (рис. 6).

Кремний и германий являются пепрямозонными полупроводниками. Для них характерными являются непрямые переходы и безизлучательная рекомбинация на примесных центрах.

На главную страницу сайта